Capping CsPbBr3 with ZnO to improve performance and stability of perovskite memristors

By Ye Wu, Yi Wei, Yong Huang, Fei Cao, Dejian Yu, Xiaoming Li, Haibo Zeng. Nano Reseach, 2017

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Subfields: Electrical and Electronic Engineering, Polymers and Plastics

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Citations in the corpus

• Photo-stability of CsPbBr3 perovskite quantum dots for optoelectronic application (2016, unknown): “2 点([6])。因此,模拟生物突触来实现神经形态计算是打破冯·诺依曼瓶颈的可行方案 。 在生物大脑中,学习与记忆行为与突触可塑性有着直接的关系,突触间的连接强度受到 神经元活动的影响而得到增强或抑制([9])。忆阻器是一种非线性电阻,该元器件是 1971 年蔡少棠教授([10])从电路理论完备性角度出发预测出电阻、电容、电感之外的第四种无源 基本电路元件,其阻值能够随输入电流或电压的历史而发生变化,这与突触可塑性相似, 因此忆阻器被广泛认为是模拟生物突触实现神经形态计算的理想器件([11])。 近十多年来,基于忆阻器的人工突触已有广泛报道,所用的阻变材料主要有金属氧 化物([12])和硫化物”